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相对湿度是通常为洁净室操作指定的环境条件之一，通常将半导体洁净室中的相对湿度控制在目标值的30％到50％范围内，并且对于某些区域（例如光刻）的公差范围窄至±1％，对于深紫外线处理（DUV）甚至更低。并在其他区域放宽到±5％。
细菌和其他生物污染物（霉菌，病毒，真菌，螨虫）在相对湿度超过60％时会壮成长。当相对湿度大于30％时，某些细菌数量也会增加。相对湿度范围为40％到60％，可将细菌和呼吸道感染的影响降至最低。
相对湿度的40％到60％的范围也很好地位于个人舒适区域内。较高的湿度变得令人沮丧。湿度低于30％会导致干燥，皮肤破裂，呼吸不适和工作人员不愉快。
高湿度实际上可最大程度地减少静电荷在洁净室表面上的积聚，这是非常理想的效果。低湿度有利于电荷积累和潜在的有害静电放电。当相对湿度超过50％时，静电荷开始迅速消散，但当低于30％时，静电荷会在不导电或不接地的表面上长时间持续存在。
虽然相对湿度为35％到40％是可以接受的折衷方案，但半导体洁净室通常会结合其他控制功能，以限制静电荷积聚。
许多化学反应（包括腐蚀过程）的速率随相对湿度的增加而增加。暴露于洁净室空气中的所有表面都至少迅速被单层水覆盖。当这些表面是与水反应的组成的金属薄膜时，高湿度会促进该反应。幸运的是，某些金属（例如铝）会与水形成保护性氧化物，从而阻止进一步的氧化反应。另一方面，铜氧化物没有保护性，因此铜表面易受高湿度的影响。
在较高的相对湿度下，由冷凝水产生的毛细作用力会在颗粒和表面之间形成键桥，并会增加颗粒对硅表面的附着力。在相对湿度低于50％时，这种开尔文冷凝效应并不重要，但在相对湿度低至70％时，它可能构成颗粒粘附的主要力量。
到目前为止，在半导体洁净室中控制湿度的最紧迫需求来自光致抗蚀剂敏感性。由于光刻胶的特性对相对湿度非常敏感，因此它需要最严格（最昂贵）的控制极限。
实际上，相对湿度和温度对于抗蚀剂稳定性和精确的尺寸控制都是至关重要的。即使在恒定温度下，光致抗蚀剂粘度也会随着相对湿度的增加而迅速降低。当然，改变粘度会改变通过固定涂层配方旋涂的抗蚀剂膜的厚度。参考文献2引用了一个实验演示，其中相对湿度的3％变化导致抗蚀剂厚度的厚度变化为59.2 A。
此外，在较高的相对湿度下吸水会加剧烘烤周期后抗蚀剂的溶胀。较高的相对湿度也会不利地影响抗蚀剂的附着力；即使没有聚合改性剂，例如六甲基二硅氮烷（HMDS），低湿度（〜30％）也会促进抗蚀剂粘附。
